公开号：	US2007095786A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	金属材料的缓蚀、防积垢及除油
专利名：	晶片基底的选择性反应离子刻蚀
摘要：	该方法用于辅助晶片的选择性反应离子刻蚀，采用石墨平板，其表面带有开口，用来作为刻蚀晶片的模板，使得在露出的晶片得到选择性的刻蚀。