公开号：	US2007105377A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	金属材料的缓蚀、防积垢及除油
专利名：	半导体连接结构的制备
摘要：	采用选择性刻蚀暴露金属的方法，在金属表面上能形成导电头层膜。该刻蚀过程首先将暴露的金属部分氧化，之后将氧化物玻璃基底。氧化物的形成是通过使用含过氧化物的氧化剂溶液或氧化性气体如臭氧进行氧化得来的。金属氧化物采用合适的刻蚀剂如甘氨酸等进行刻蚀。氧化和刻蚀过程发生在同一个溶液体系之中。另一办法叙述如下：暴露的金属不需氧化过程直接被刻蚀掉。较合适的金属刻蚀剂由多种酸组成。该刻蚀过程需要控制少量的点蚀过程，在金属被刻蚀之后形成表面凹陷，采用无电沉积技术在凹陷表面形成导电的头层膜。