公开号：	US2007235410A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	金属材料的缓蚀、防积垢及除油
专利名：	暗场刻蚀模板的制备方法
摘要：	暗场掩模（掩模大面积是不透明的）易受损性在于针孔缺陷，掉转的图案以及非均匀性等，原因主要是在制备过程中由于喷射器离去或者下降错误，以及由于大面积覆盖导致的长的工作周期，具体制备过程是在一个明场印记图案图上光刻胶并用数码平版印刷术（或打印图案化）印刷。在涂有光刻胶的图层上，打印的明场图案被选择性的移除就形成了反向图案（暗场）。然后刻蚀移除所选择的部分底层（封装，导电层等）。模板移除后就形成了具有大面积特征图案的图层，而且很大程度上的减少了缺陷。