公开号：	US2007281477A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	金属材料的缓蚀、防积垢及除油
专利名：	尤其在闪存方面应用的刻蚀多晶硅上硅化钨的方法
摘要：	一种等离子刻蚀多晶硅上硅化钨的方法，特别在制作闪存方面有用处，由于微负载的要求闪存既有密集堆叠区域，又有空区域，这就需要长期的过刻蚀。主要的刻蚀剂包含NF<SUB>3</SUB>与Cl<SUB>2</SUB>。氩气加入来防止在密集与空区域发生过刻蚀。氧气与氮气氧化所有露出来的硅来增加刻的蚀选择性并且使刻蚀面更直。SiCl<SUB>4</SUB>可以加入来增加额外的选择性。