公开号：	US2008006205A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	金属材料的缓蚀、防积垢及除油
专利名：	控制等离子体电压的设备与方法
摘要：	一种设备用来提供半导体晶片的等离子处理。这种设备包含一个腔体，腔体内有一个低位置的电极与一个高位置电极布置在里面。低位置的电极是用来传送一条射频电流通过腔体来在腔体内产生等离子体。高位置电极的布置在低位置电极的上方，并且与腔体是电气绝缘的。一个电压源连接在高位置电极上。电压源是用来在高位置电极上产生一个相对于腔体的电势。可以被电压源控制的高位置电极上的电势能够影响将在高低位置电极之间产生的等离子体的电势。