公开号：	US2008115802A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	金属材料的缓蚀、防积垢及除油
专利名：	用于改善被金属离子污染的晶片表面的清洗方法
摘要：	一种用于改善被金属离子污染的晶片表面清洗方法被揭示出来。这种方法是在一个管道中安装一个离子变换滤器，去离子水在管中流通，来减少金属离子使其小于0.1ppb，这样可以避免在清洗晶片过程中去离子水中的金属离子留在晶片表面并且防止在之后的热氧化处理过程中金属离子的扩散对氧化膜质量产生影响。