公开号：	US7431773B2
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	金属材料的缓蚀、防积垢及除油
专利名：	原子层沉积的设备与方法
摘要：	一种原子层沉积的方法包含在原子沉积室内放置的一个半导体基底。一种首先要沉积的物质在足够在基底上形成一个第一单层的第一真空条件下供给到沉积室中。这个第一真空条件至少由连接在沉积室的第一个非粗糙真空泵保持并且在保持过程中至少部分的首先沉积的物质要流通出来。形成第一个单层后，吹洗气在在第二真空条件下供给到沉积室中，第二真空条件至少有由连接在腔体上与第一非粗糙真空泵不同的第二非粗糙真空泵部分的维持，在维持期间，一些吹洗气流通出来。一个原子层沉积的设备被揭示出来。