| 摘要： | 在大多数制备半导体过程中，晶片放置在底座的顶面并且以一种高能的处理步骤加热，例如等离子体刻蚀。底座，夹具或者滚筒可能是冷却的，但是晶片会逐渐的加热直到处理不再进行。在大的（如直径300mm）晶片被加工的时候，穿过晶片的温度难以保持充分的恒定。在这个系统与方法中，侧面温度可以通过一个在底座顶紧贴于晶片之下的散热结构腔体的配备得到补偿。许多空间分布的虹吸柱从穿过腔体上方的一层虹吸材料中向下伸出，伸到一可蒸发的液体池中。在热的位置，蒸发了的液体会产生并且传输到邻近的从液体中延伸出来的冷凝柱中。这样这个系统可以在液体循环以及保证充足液体供给下被动的吸取热量来平衡温度。液体之上与本身自由的体积以及柱之间短的距离确保了足够的热量传递速率。 |