公开号：	US7449124B2
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	金属材料的缓蚀、防积垢及除油
专利名：	抛光晶片的方法
摘要：	一种抛光晶片的方法包含一种pH在6-8的水溶液，水溶液至少含有选自群组中的一种物质，该群组包含一种聚甲基丙烯酸，一种聚磺酸，及其混合物，并且这种物质占水溶液重量比的1.5%到4%。这种晶片抛光溶液可以利用固着磨料CMP处理方法来对修饰过的半导体晶片进行调节控制切割速率与选择性。