公开号：	US2006260646A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	金属材料的缓蚀、防积垢及除油
专利名：	一种跨聚氧化物中碳掺入的寻址方法
摘要：	本发明涉及一种脱去半导体晶圆表面掩膜和寻址界面碳化学吸附的方法，首先半导体晶圆放入干燥的脱模器中，通过干燥脱模除去半导体晶圆表面的掩膜。然后脱模后的半导体晶圆放到清洗液中清洗除去晶圆表面的颗粒并进行界面碳的寻址。清洗液是通臭氧的氨水或者热的磷酸溶液。