公开号：	US2007090325A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	金属材料的缓蚀、防积垢及除油
专利名：	一种氧化硅的刻蚀溶液及利用该溶液制备半导体器件的方法
摘要：	本发明涉及一种扩大硅氧层表面的开口的处理方法中用到的刻蚀溶液。该溶液包括约0.2%到5.0%重量分数的氢氟酸溶液，约0.05%到20.0%重量分数的氟化铵溶液，约40.0%到70.0%重量分数的烷基氢氧化物以及残余水。刻蚀溶液刻蚀掉硅氧层但是对于从开口处暴露的金属硅化物没有损伤。