公开号：	US7367343B2
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	金属材料的缓蚀、防积垢及除油
专利名：	一种清洁含钴材料表面的，在含钴材料上形成开口的方法以及制备包含含铜导电线和含铜膜清洁溶液的集成电路的半导体加工方法
摘要：	本发明包括含钴材料表面清洁方法，含钴材料上形成开口的方法，在包含了含铜电导线和含铜膜清洁溶液的集成电路上进行半导体加工的方法。处理时，含钴材料表面的清洁的方法包括在基底上形成含钴材料。含钴材料表面暴露在混合水溶液中。混合水溶液pH为酸性并且含有醋酸，多质子酸和HF。处理的其他方面也包括在内。