公开号：	US2007173062A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	金属材料的缓蚀、防积垢及除油
专利名：	清洁含钴材料和在其上打洞的方法，制备由含铜导线组成的集成电路的半导体加工方法和含钴膜的清洁溶液
摘要：	本发明涉及清洁含钴材料和在其上打洞的方法，制备由含铜导线组成的集成电路的半导体加工方法和含钴膜的清洁溶液。在一个实施例中，清洁含钴材料表面的方法包括在衬底上形成含钴材料。含钴材料表面暴露在水混合物中。该水混合物是酸性的，由醋酸，多质子酸和氢氟酸组成。其他的方面和设想也是可以打算的。