公开号：	US2006118035A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	单晶、多晶等相关材料的制备方法
专利名：	防止氧化锆低温降解的方法
摘要：	本发明是关对一个生产一种材料的方法，这种材料不受低温降解，通常湿度增强典型的氧化钇稳定氧化锆相变，以及氧化钇稳定四方氧化锆多晶体陶瓷（Y-TZP）。由于高断裂韧性和高机械强度，这种材料类应用非常广泛，包括诸如小型植入的神经肌肉刺激器的传感器和包装材料植入。破坏性相变被消除是通过在阳离子丰富的环境中进行后致密热处理从而将表面转换为稳定立方米或T型棱柱氧化锆