公开号：	US2006121369A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	单晶、多晶等相关材料的制备方法
专利名：	掩膜和非晶硅结晶的方法
摘要：	一种非晶硅结晶的方法包括在基板上形成一无定形硅层，并在带有无定形硅层的基板上放置一个掩膜，然后使用激光束通过掩膜照射到非晶硅层形成第一结晶区域，激光束有足够高的能量强度可以完全融化了非晶硅层，其中面具包括一个基地的基板，在基地的基板有相移层，基板具有被狭缝分开的第一宽的多元的第一条纹，还有重叠相移层的阻挡层，以及带有比第一个宽度窄的第二个宽度的多元的第二条纹，这个第二条纹和第一条纹平行。