公开号：	US2006125120A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	单晶、多晶等相关材料的制备方法
专利名：	构造多晶硅的方法
摘要：	多晶硅的制备方法根据一个实例体现，在具有第一区域和第一区域周围的第二区域的基板上形成非晶硅半导体层，在第二区域使用的第一个掩膜形成一个多元的平键对齐，通过蚀刻在第一个区域的半导体层形成一个多元化的凸键对齐，并且通过调节与凸键对齐的多元化有关的第二掩膜以在第一区域使半导体层结晶。