公开号：	US2006130743A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	单晶、多晶等相关材料的制备方法
专利名：	低温负载和烘烤
摘要：	这种方法用于低温，快速烘烤以使在原址沉积前去除半导体表面杂质。有利的是，这种短的，低温过程消耗很少的热预算，这样的过程适合于先进的，高密度浅连接点电路。此外，吞吐量通过低温烘烤得到了很大的提高，特别是在低温烘烤前与低温等离子体清洗和低温晶圆装载相连，然后烘烤后的沉积温度要比传统的外延沉积温度低。该过程使硅层在半导体表面形成外延沉积，尤其是有利于在一个硅锗基层外延层沉积。通过低温烘烤的使用，硅锗的基础层可清洗以方便进一步的外延沉积，而不需要放松应变的硅锗晶体结构。