| 摘要： | 本发明提供了一个用于生产半导体晶片的方法，其步骤至少包括，形成一个Si1-xGex层(0<X<1)在层或者薄层的沉积温度以临界的膜厚沉积在硅单晶晶片上，然后以临界膜厚度在后者释放的热处理温度形成一个硅层或者其上的薄膜，然后通过移植至少氢离子，稀有气体离子和通过硅层的硅离子的一种形成一个粒子移植层以用于放松硅单晶晶片，然后进行释放的热处理过程，因而产生这个（Si1-xGex）层松散晶格，并且通过在硅层引入晶格张力而形成一个应变硅层，然后在应变硅层的一个表面上沉积硅，从而增加了应变硅层的厚度。因此，在此提供了一种生产由应变硅层组成的半导体晶片得方法，其中硅层中没有产生不合适的错位，并且这个片层有足够的张力和厚度，可以用于各种器件的设计。 |