公开号：	US2006201414A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	单晶、多晶等相关材料的制备方法
专利名：	低温载入焙烧
摘要：	我们通过这种低温，快速的焙烧方法来移除原位沉积前半导体表面的杂质。比较有利的是，一个时间短的低温过程耗费非常少的热预算，这样这个步骤就适合先进，高密度的浅节点电路。此外，低温焙烧大大提高了吞吐量，特别是在低温等离子体清洗和低温晶圆装载前烘的结合使用，和焙烧后在比传统外延温度低的温度沉积。该过程使表面含硅的半导体层，尤其是硅锗基层可以外延沉积。通过使用一个低温焙烧，我们可以在不放松硅锗的晶体结构的同时，清洗硅锗的基础层以方便进一步的外延沉积。