公开号：	US2006225640A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	单晶、多晶等相关材料的制备方法
专利名：	硅单晶和硅片的制造方法
摘要：	一个硅单晶可由生长而制备，通过在生长装置中的气体环境中添加一种含有氢原子的气体，而且在晶体中掺杂氮和/或碳，制造的晶体含有一个无缺陷区域，该区域没有CZ步骤中的生长缺陷。因此整个表面由没有生长缺陷的无缺陷区组成，拥有充分而均匀的骨密度的硅片可以比较容易的切成片状。由于这种硅片可以大大减少制作集成电路时产生的特征缺陷，并有助于提高以进一步小型化和更高的电路密度作为需求的基板生产产量，它可以被广泛的应用。