公开号：	US2006254499A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	单晶、多晶等相关材料的制备方法
专利名：	制造氮参杂硅单晶方法
摘要：	我们这里提供了一个改良方法，针对于制造一个氮参杂的硅单晶方法，其氮参杂比不小于1x1015原子/厘米3，小于4.5x1015原子/厘米3，这种方法是从一个存储在石英13坩埚中，含有氮的硅12熔融中拉起一个硅29单晶，当单晶上拉时，我们向硅12熔融中补充不包含氮的硅23的粗糙原料，这样存储在石英坩埚中的硅熔体的液面位置按照单晶增长的量保持一致。在拉起的硅单晶中，氮的数量是可以控制的，因此，我们可以在单晶的沿轴方向获得一个不变的氮浓度，高掺杂的上拉的硅单晶的长度可以增加。