公开号：	US2006260538A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	单晶、多晶等相关材料的制备方法
专利名：	在硅外延膜生成过程中的Cl和/或HCl的使用
摘要：	在第一个方面，提供了一个在基板上形成外延膜的方法。该方法包括：（一）提供底物;（二）在硅源和碳源中暴露基材，以形成含碳硅外延片;（三）用封装薄膜封装含碳硅外延片膜;和（d）将基板暴露在氯气，以蚀刻封装薄膜。我们也提供了许多其他方面。