公开号：	US2006266277A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	单晶、多晶等相关材料的制备方法
专利名：	单晶热处理方法
摘要：	单晶热处理方法需要在缺氧环境中加热一个特定的铈掺杂硅酸盐化合物单晶，加热温度T1（单位：℃），并满足以下公式所代表的条件:800<=T1<Tm-550.（其中Tm1（单位：℃）代表单晶的熔点）。