公开号：	US2006283379A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	单晶、多晶等相关材料的制备方法
专利名：	生长硅单晶和制造硅片的方法
摘要：	在生长中硅单晶方法中，运用Czochralski方法得到的硅单晶氧浓度为12x1017到18x1017原子/厘米3，详在美国ASTM-F1211979。一种惰性气体和含有氢原子的气态物质的混合气作为生长单晶的保护气。晶体生长过程中，控制硅单晶温度，使其结晶中心部分在其熔点和1350°C之间的轴向温度梯度Gc与晶体外围在其熔点和1350°C之间的轴向温度梯度Ge的比值Gc/Ge范围为1.1到1.4。结晶中心部分的轴向温度梯度Gc是从3.0至3.5°C/毫米。