公开号：	US2007010076A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	单晶、多晶等相关材料的制备方法
专利名：	先进仪器的多晶锗化硅结点
摘要：	我们公开了一个多晶锗化硅交界MOSFET器件的结构和制造方法。锗有选择性地在硅上生长的同时硅有选择性的在锗上成长。锗和硅层的交替沉积产生锗化硅的交界。沉积层被掺杂，并随后向装置漫射掺杂剂。一个在多晶硅锗层之间的多孔氧化物薄膜提高了锗化硅交界的各向同性