| 摘要： | 本发明提供一种形成应变半导体层的方法。这种方法包括在一个具有第一晶格常数的晶片上生长一个应变的第一半导体层，层上具有一个分级的掺杂剂侧面。这个掺杂剂将第二晶格常数赋予到第一半导体层。这种方法的进一步的步骤是，生长一个在第一半导体层具有第二晶格常数的应变盒装的的第二半导体层，并且生长一个在第二半导体层具有第一晶格常数的牺牲的第三半导体层。下一步，蚀刻退火第三和第二半导体层，其中第三半导体层被除去而第二半导体层被释放。再下一步，生长一个在第二半导体层具有第二晶格常数的第四半导体层，其中第四半导体层被释放，并且生长一个在第四半导体层具有第一晶格常数的的应变第五半导体层。该方法可控制半导体层的表面粗糙度。该方法在降低半导体层位错有意想不到的好处。 |