公开号：	US2007068449A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	单晶、多晶等相关材料的制备方法
专利名：	碳化硅单晶的生长方法
摘要：	一个碳化硅单晶生长的方法包括的步骤有，热力学处理高纯度碳化硅源以降低一特殊的表面积和增加一相的比例，并且使源中的碳的摩尔分数比硅的摩尔分数多，将碳化硅源放入坩埚中，并在坩埚中安排碳化硅的种子，然后通过加热碳化硅源生长碳化硅单晶。