公开号：	US2007093026A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	单晶、多晶等相关材料的制备方法
专利名：	用于太阳能电池的薄膜硅片层的制备方法
摘要：	一个薄层单晶硅的制作是先在具有（111）晶向的硅基底上形成第一区域，在区域的底部形成较窄的第二区域，从第二区域开始各向异性地刻蚀横向通道（4），直到相邻的字体（16）大致相遇为止，并且从基底上分理处上述的层，这些区域是可以被安排的，所以产生的层有成排的插槽，相邻排的插槽可以相互抵消。太阳能电池可以在条带上形成，其中每个条带上相同的面要有两个电气接触点。