公开号：	US2007107654A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	单晶、多晶等相关材料的制备方法
专利名：	高纯度晶体的生长
摘要：	一种生长晶体的方法，基底配置有一内有基板，可作为反应室的反应器，其中包括反应室内朝向基板的流动反应气体，这些反应气体的组成成分可以彼此结合以形成晶体，反应室中的流动缓冲气体在反应气体和反应器的墙之间，其中流动缓冲气体抑制至少一个由反应气产生的第一个材料到达反应墙，和抑制反应墙所产生的第二个材料与反应室中的反应气在接触基底前相互接触。