| 摘要： | 用于半导体层化合物的快速外延沉积的仪器和工艺包括一个低能量、高密度的等离子体发生器，该发生器用于等离子增强气相外延。该工艺提供了一步到位的方法，使一种或多种金属蒸汽与非金属元素气体在同一个沉积室中进行化合。气体在高浓度、低能量的等离子体中被高度激发，同时使金属蒸汽与高度激发的气体反应并将反应产物沉积在一个与一个在等离子体气氛中的载体相连的、被加热的基底上，在基底上形成一个半导体层。这个工艺是无碳的，因此特别适合含氮化合物半导体在大面积硅基底上的外延生长，生长速率达10纳米每秒，基底温度低于1000℃。该工艺既不需要含碳气体也不需要放氢气体，并且没有有毒载体和反应气，环境友好。 |