公开号：	US7320731B2
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	单晶、多晶等相关材料的制备方法
专利名：	硅单晶的生长和硅晶片的生产工艺
摘要：	本专利提供了一种用于生长硅单晶的工艺，该工艺能在不低于临界拉伸速率的条件下生长硅单晶，在临界拉伸速率将产生OSF生成区。该硅单晶生长过程用用于生长硅单晶的大气气体表征，该大气气体是含有含氢物质的含氢气体，在拉伸速率从一个的值到另一个值拉硅单晶，当拉伸速率为第一个值时，环外直径(a)与硅单晶内直径(b)的比率（a/b）不高于0.77，环是由单晶硅径向上的OSF生成区组成的，到第二个值时OSF生成区在晶体中间部分消失。