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今天是:2025-09-18 Thursday
企业难题需求
公开号: US7413605B2
大类:国外
行业类型:化学
行业内分类:单晶、多晶等相关材料的制备方法
专利名:制备硅单晶的方法
摘要:考虑到坩埚变形,通过向上提拉一个锭,防止产生缺陷锭,许多与第一个锭同质量的锭在多臂提拉仪中被提拉。首先,测量实验(34)中熔化硅原料的坩埚的变形量和实验(38)中的加热器电源的加热史,来计算批量生产的坩埚(14)的变形趋势。下一步,测量批量生产的坩埚尺寸。硅原料的量与实验用的坩埚供应量相同,将该硅原料用批量生产的加热器(18)熔融,带有预设差距的坩埚初始外表面位置在初始提拉之前被测量。批量生产的坩埚一经熔过硅原料,它的变形量可预测,例如依据实验用的坩埚的变形趋势与坩埚初始外表面位置、初始内表面位置的关系预测,当预设差距已知,其变形量可依据批量生产的坩埚的变形量预测,并且为了在最佳拉伸速率引发锭的拉伸,锭的最佳拉伸速率由预测计算导出。
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