公开号：	US7449065B1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	单晶、多晶等相关材料的制备方法
专利名：	低缺陷大单晶生长方法
摘要：	这里我们揭示了一种四面体键合晶体材料的低缺陷大单晶的生长方法与从其产品中产生的效益。该工艺采用了独特设计的晶体形状，使快速增长的方向平行于晶体的择优取向。通过建立几个生长晶区，一个大部分无缺陷的大单晶能高速生长。这个过程是特别为生产为宽禁带半导体产品，如碳化硅，氮化镓，氮化铝和钻石。这些半导体的低缺陷大单晶可大幅度地提高性能和在高功率、高电压和（或）高温操作条件下应用的可靠性。