公开号：	US7452827B2
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	单晶、多晶等相关材料的制备方法
专利名：	具有排气口的气体分布喷嘴
摘要：	一种加工半导体工件的方法。该方法包括使一种处理过的气体流过半导体，通过配置在气体分布面板上的第一个多元化配气口；还包括从半导体工件中除去该气体，使该气体通过一个腔体的排气口和配置在气体分布面板上的第二个多元化配气口