公开号：	US7453051B2
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	单晶、多晶等相关材料的制备方法
专利名：	通过优化电磁能吸收来加热半导体晶片的系统及工艺
摘要：	我们开发了一种热处理半导体晶片的仪器。这个仪器包括一个加热设备，该设备带有一个配件：用来为晶片提供光能的线性灯，该线性灯可放置在各种配置中。依据本发明，用于调节光源整体照度分部的调节设备包含在加热设备中，例如，调节设备可以是灯泡或激光器。