公开号：	US7459023B2
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	单晶、多晶等相关材料的制备方法
专利名：	生产半导体晶体的方法
摘要：	本发明提供了一种用于产生第三主族氮化物半导体晶体的方法，通过熔盐法：加入一种助溶剂使半导体晶体生长。本发明中半导体晶体生长的基底至少有一部分是可溶可熔性材料。在半导体晶体在基底的一个表面生长时，或者在半导体晶体在基底表面生长之后，可熔可溶性材料被助熔剂从与之相对的基底表面融掉。可熔可溶性材料是由硅形成的或者是由第三主族氮化物半导体形成的。基地的密度错位比将在其上生长的半导体晶体还大。