公开号：	US7462239B2
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	单晶、多晶等相关材料的制备方法
专利名：	低温装载及烘烤
摘要：	我们这里提供了低温快速烘烤的方法，可在原位沉积之前将杂质从半导体表面除去。这样一个短时、低温过程消耗非常少的热，这是有利的，因此，该过程适用于先进的、带有弱链接的高密度电路。而且，由于低温烘烤，尤其是烘烤前结合了低温等离子体清洗、低温晶片装载和烘烤后在低于传统晶膜外延温度下进行沉积，使产量大大提高。这一过程使半导体表面含硅层能够进行晶膜外延沉积，尤其是使在硅锗基层上进行晶膜外延沉积成为可能。通过使用低温烘烤，可以清洁硅锗基层从而方便进一步外延沉积而不需要松弛拉紧的硅锗晶体结构。