公开号：	WO2006083909A2
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	单晶、多晶等相关材料的制备方法
专利名：	替代化学气相沉积来制备掺杂碳的晶体硅材料的过程
摘要：	制备含有相对较高水平取代掺杂剂的含硅膜涉及化学气相沉积，用到丙硅烷和掺杂剂前驱体。这很可能获得极高的置换插入水平，可得到原子百分含量为2.4%的硅晶体膜或是更大的碳取代值。取代掺杂的含硅膜通过在沉积过程中引入腐蚀性气体可以选择性的沉积在混合基底的晶体表面上。