公开号：	US2007213954A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	测量
专利名：	陷阱电荷密度的测定系统和方法
摘要：	本文揭示半导体材料和介质材料之间陷阱电荷密度测定系统和方法。一方面，半导体材料的光谱数据可以被确定而且可用于确定电介质函数的变化。电介质函数中线型的变化可以通过其导数函数形式而应用。线型的幅值可以用于确定并且过去常常被用于确定半导体材料区域空间电荷的电场。应用泊松方程，取决于电荷空间区域的电场标量值可以确定。进而，应用标量值陷阱电荷密度可以确定。