| 摘要： | 本发明提供的气体传感器即使在高温高湿环境下使用也具有良好的防潮湿能力。本发明的其他传感器包括：一个硅衬底；一个加工在基底上的主要是SnO<SUB>2</SUB>的金属氧化物半导体和由Pd组成并分散在金属氧化物半导体表面的催化剂部分，在此，金属氧化物半导体和催化剂部分构成了一个气体传感器部分。另外，一个主要由SiO<SUB>2</SUB>构成的绝缘部分分散的加工在气体传感器部分的表面。另外，催化部分和绝缘部分都被加工在金属氧化物半导体部分的表面，因此，表面的用Si和Pd的原子数目表示的气体传感器部分的添加剂率Si/(Pd+Si)，含有绝缘部分的可以是65%并多达97%或者更少，而且，用Si和Sn原子数目比Si/(Sn+Si)表示的气体传感器部分的添加剂率可以是75%并多达97%或者更少。 |