公开号：	US2006160028A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	形成半导体器件精细图案的方法
摘要：	形成半导体器件精细图案的方法包括形成在半导体基底的第一正光刻胶层，该层包括在第一剂量的接触反应。第一光刻胶层暴露和发展形成第一光刻胶图案。第二光刻胶层形成了在包含第一光刻胶图案的半导体基底区域，它包含第二剂量不超过第一剂量结束暴露的反应。第二光刻胶层暴露和发展在第一光刻胶图案之间形成第二光刻胶图案。使负第一光刻胶形成精细图案的方法被提供。