公开号：	US7369594B2
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	半导体激光器
摘要：	本专利涉及有效折射率类型的半导体激光器，它的下包层，反应层和上包层依次向上排列，且上包层处于条状山脊结构上，它形成山脊结构基底和倾斜的结构，这些结构被两层或更多的防止光被吸收的低折射率层叠成的隐埋层覆盖，它还形成了这些结构之间的吸收振荡波长的激光的光吸收层。这个半导体激光器防止高阶模式引起的扭结，产生更高的输出。