公开号：	US2006187988A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	半导体激光装置
摘要：	在不同方面，半导体激光装置包含氮化物半导体的第一导电类型的第一覆盖层，提供第一覆盖层和氮化物半导体的活跃层，在氮化物半导体活跃层上被提供的第二导电类型的第二覆盖层，和在脊波导表面提供的绝缘层。第二覆盖层有一个脊波导和被提供在脊波导两边的边缘部分。在脊波导处第二覆盖层边部分有比第二覆盖层脊波导更低的第二传导类型杂质的活化比率。