公开号：	US2006192584A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	测量
专利名：	半导体设备中的焦耳热效应的检测方法和设备
摘要：	本文提出了一种测定半导体设备中的焦耳热效应的方法和设备。这个检测装置包含了一个可导的金属结构（-）为了：接受导致热效应的源源不断的电流。这个检测装置还包括另一个和第一个金属可导结构可导的相类似的金属结构（-）。以此可以获得因为热效应引起的电阻率的变化。电阻率变化和热效应引起的温度变化相关的。