公开号：	US2006208278A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	双波长半导体激光装置和制造方法
摘要：	双波长半导体激光装置包括一个一级传导材料基底，其位于独立的第一和第二区域上。第一半导体激光二极管在第一区域形成。一个稳定层在第二区域形成并且其与第一半导体激光二极管的分层相同。一个二级半导体激光二极管在稳定层形成，在第一和第二半导体激光二极管中间至少形成一个横向传导区。