公开号：	US2006215719A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	高功率半导体激光管
摘要：	该发明涉及脊波导半导体二极管激光器，包括一个基板，在基板附近的第一电镀层，第一电镀层附近的第二电镀层，介于第一电镀层和第二电镀层之间的包层，并在二极管激光器的第一刻面和第二刻面之间延伸出一个距离。二极管激光器包括一个在第二电镀层附近的覆盖层，在覆盖层和第二电镀层上形成的背脊，一个接触层，用于在背脊向活跃层注入电流。接触层与覆盖层的接触区域的长度小于第一刻面与第二刻面之间的距离，以致覆盖层包含一个非灌入刻面区域。以上是新的激光器的描述。