公开号：	US2006292868A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	面发射型半导体激光器
摘要：	一种形成导电图样如在混合半导体层上形成电极的方法包括以下步骤：在混和半导体层上形成第一有机层，在第一有机层上形成防止等离子灰化的第二层，在第二层上形成带有第一孔径的图样，使用该图样的掩模通过第一有机层的等离子灰化在第一有机层上形成第二孔径，使得将混合半导体层暴露在第二孔径下，在包含第二孔径和第二层暴露的混合半导体层的一片区域上沉积一层导电层，通过升离工艺在混合半导体层上形成导电图样。