公开号：	US2006214248A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	测量
专利名：	具有附加层的单晶硅传感器以及其制造方法
摘要：	一套基于MEMS的设备拥有一个基底层，一个设备层以及一个位于基底层和设备层之间的绝缘层。设备还有一个存储层，占据了设备层的一部分。设备层位于绝缘层和存储层之间。