| 摘要： | 在半导体装置的制作过程中，当接触孔在干式蚀刻形成的中间绝缘层膜上形成时，静电产生。由于组织静电产生的过程而损坏一个像素区域或者一个驱动电路区域。们信号线互相分开的距离超过一个结晶半导体膜。因此但接触孔在内部中间绝缘膜上打开时，第一保护电路不是电连接的。静电产生在下面的过程中，在为打开连接孔进行干式蚀刻，从门信号线移动，损坏门绝缘膜，通过结晶半导体膜，在它到达门信号线之前再一次损坏门绝缘膜。当静电在干式蚀刻过程中产生时，损坏第一保护电路。静电能量减少直至消失损坏了驱动电路TFT。驱动电路TFT抑制静电荷损坏。 |