公开号：	US7397833B2
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	半导体激光器
摘要：	本专利是一个半导体激光器，基于目前构造它包含了以下结构:一个基底;基底上的n型层;n型层上的激发层;激发层上的形成波导脊的p型层;位于激发层与n型层或激发层与p型层之间，并在光波导方向上有部分相移的衍射光栅。P型层的宽度随衍射光栅上的相移结构增加。